10月11日消息，据珠海特区报近日报道称，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业——芯动科技发布消息称，该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N＋1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，为国产半导体生态链再立新功。
众所周知，中芯国际目前是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业，所谓“N＋1”工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。
根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示，N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。
梁孟松博士也表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。
在此前公布的2020年上半年财报当中，中芯国际就曾表示，第二代先进工艺（N＋1）进展順利，已进入客户产品验证阶段。随后，在今年9月下旬，中芯国际再度对外回应称，第二代FinFET N＋1工艺已经进入客户导入阶段，有望在今年年底小批量试产。
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