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IRF3710STRLPBF(英飞凌MOS管)封装图及中文参数介绍

网络整理 2024-06-17 14:32:15 144 Related Key Words: 英飞凌 功率MOSFET器件

Infineon(英飞凌)的型号IRF3710STRLPBF(点击立即购买)属于场效应管(MOSFET),是IR MOSFET系列,利用经验证的硅工艺,为设计者提供了广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电的应用。

IRF3710STRLPBF(英飞凌MOS管)

一、IRF3710STRLPBF的功能特点

1、低导通电阻:可以实现较低的导通损耗,提高系统效率。

2、高耐压能力:器件耐压高达100V,可以承受较高的电压应用。

3、快速开关特性:开关时间短,典型关断时间为32ns,适用于高频开关应用。

4、耐高温性能:工作温度范围可达到-55°C到175°C,可以在高温环境中稳定工作。

5、可靠性高:采用铜线键合工艺,抗振动和冲击性能良好,可靠性高。

6、封装:D2PAK封装,体积小,散热性能好。

二、IRF3710STRLPBF的应用领域

IRF3710STRLPBF是一款集高性能、高可靠性于一体的功率MOSFET,其主要应用领域如下:

1、开关电源:高频开关、高效率的开关电源设计,如电源适配器、inverter等。

2、电机驱动:快速开关、耐高温的特性,非常适合电机驱动电路的功率开关管。

3、工业控制:稳定可靠的性能,适用于工业控制设备中的功率开关管应用。

4、汽车电子:耐高温、抗振等性能满足恶劣环境下的汽车电子应用需求。

三、IRF3710STRLPBF的中文参数

品牌:Infineon(英飞凌)

产品分类:场效应管(MOSFET)

封装:D2PAK

包装:圆盘

FET类型:N通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25℃时电流-连续漏极(Id):57A(Tc)

驱动电压(最 大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id、Vgs时导通电阻(最 大值):23毫欧@28A,10V

不同Id时Vgs(th)(最 大值):4V@250μA

Vgs(最 大值):±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)(最 大值):3130pF@25V

FET功能:-

功率耗散(最 大值):200W(Tc)

工作温度:-55℃~175℃(TJ)

安装类型:表面贴装型

基本产品编号:IRF3710

HTSUS:8541.29.0095

产品应用:汽车级

不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最 大值):130nC@10V

四、IRF3710STRLPBF的封装图

IRF3710STRLPBF的封装图

五、IRF3710STRLPBF的丝印图

IRF3710STRLPBF的丝印图

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