Infineon(英飞凌)的型号IR2128SPBF(点击立即购买)属于栅极驱动IC，是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V。保护电路检测驱动电源晶体管中的过流并终止栅极驱动电压。漏极断开FAULT信号表示已发生过电流关闭。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600伏。
一、IR2128SPBF的功能特点
1、高频率驱动。IR2128SPBF的最大驱动频率可达1MHz，使其非常适合在高性能应用中使用。
2、双通道设计。IR2128SPBF具有两个对称的通道，可以分别驱动低侧和高侧MOSFET，实现完整的半桥配置。
3、适用于高电压环境：IR2128SPBF可以支持高达600V的电压桥，可以满足多种应用需求。
4、死区控制。IR2128SPBF能够提供精确的死区控制，以避免MOSFET的交错导通，从而确保系统的安全性和稳定性。
5、低延迟。IR2128SPBF具有低延迟的特点，可以实现快速响应和高速开关。
6、集成高压启动电路：IR2128SPBF集成了高压启动电路，可实现快速、简单的系统设计。
7、电流传感器：IR2128SPBF还支持元件电流传感器，可以提供精确的电流反馈信息，以实现更精确的系统控制。
二、IR2128SPBF的应用领域
IR2128SPBF作为一款高性能的半桥驱动器，具有高频率驱动，双通道设计，死区控制、低延迟、集成高压启动电路、电流传感器等多种功能特点，广泛适用于电力电子、电机控制、逆变器和照明等多种应用场合。
三、IR2128SPBF的中文参数
品牌：Infineon(英飞凌)
产品分类：栅极驱动IC
通道类型：Single
驱动器数：1
栅极类型：IGBT, N-Channel MOSFET
逻辑电压 -VIL，VIH：0.8V，3V
输入类型：Inverting
上升/下降时间：80ns，40ns
工作温度：-40~+150℃
安装类型：SMT
封装/外壳：SOIC8
供电电压：12~20V
四、IR2128SPBF的引脚图
五、IR2128SPBF的原理图
六、IR2128SPBF的封装图
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