近日，英飞凌(Infineon)推出0.7A 650V集成高压侧和低压侧栅极驱动器2ED2106S06F半桥驱动评估板。
该评估板采用半桥配置的英飞凌绝缘硅(SOI)栅极驱动器2ED2106S06F和两个 MOSFET(IPD60R360P7)。该电路板旨在测试栅极驱动器的基本功能和特性。
用户可以测试PWM输入-输出性能、检查传播延迟、电流能力和高开关频率性能。该电路板还可用于进行双脉冲测试。
一、产品型号
1、EVAL-2ED2106；
2、2ED2106S06F评估板。
二、所用器件
1、栅极驱动器：2ED2106S06F；
2、MOSFET：IPD60R360P7。
三、产品特点
1、工作电压高达+650V；
2、采用英飞凌SOI技术；
3、负压VS瞬态抗扰度为100V；
4、集成式低欧姆自举二极管；
5、专为自举电路设计；
6、最 大电源电压为25V；
7、欠压锁定(UVLO)功能；
8、200ns传播延迟；
9、VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V；
10、-5V输入端的负电压容差。
四、应用价值
1、降低BOM成本并节省空间；
2、电平转移损耗降低50%；
3、出色的坚固性和抗噪能力。
五、应用领域
1、家用电器；
2、电机控制和驱动器；
3、开关电源(SMPS)。
六、框图
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