近日，英飞凌(Infineon)又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。
这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测，有Al2O3/AlN DCB两种版本，型号中带P的是预涂TIM材料。
一、产品型号
1、F4-8MR12W2M1H_B70 8毫欧 H桥 AlN DCB；
2、F4-8MR12W2M1HP_B76 8毫欧 H桥TIM；
3、F4-11MR12W2M1H_B70 11毫欧 H桥 AlN DCB；
4、F4-11MR12W2M1HP_B76 11毫欧 H桥 TIM；
5、F4-33MR12W1M1H_B76 33毫欧 H桥；
6、F4-17MR12W1M1H_B76 17毫欧 H桥；
7、F4-17MR12W1M1HP_B76 17毫欧 H桥 TIM；
8、F3L11MR12W2M1HP_B19 11毫欧 T-三电平 TIM；
9、FF11MR12W2M1H_B70 11毫欧 半桥 AIN DCB；
10、FF11MR12W2M1HP_B11 11毫欧 半桥 TIM；
11、FS13MR12W2M1H_C55 13毫欧 三相桥 AIN DCB；
12、FS13MR12W2M1HP_B11 13毫欧 三相桥 TIM。
二、产品特点
1、1200V CoolSiC™ MOSFET；
2、Easy1B，Easy2B封装；
3、非常低的模块寄生电感；
4、RBSOA反向工作安全区宽；
5、栅极驱动电压窗口大；
6、PressFIT引脚。
三、应用价值
1、扩展了栅源电压最 大值：+23V到-10V；
2、在过载条件下，Tvjop最高可达175°C；
3、出色的性价比，可降低系统成本；
4、可工作在高开关频率，并改善对冷却要求。
四、竞争优势
完整的半桥SiC模块产品组合，包括标准Al2O3 DCB和低热阻高性能AIN DCB。
五、应用领域
1、电动汽车充电；
2、储能系统；
3、光伏；
4、UPS。
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