近日，英飞凌(Infineon)推出业内首款采用全新OptiMOS™ 7技术的15V沟槽功率MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压DC-DC转换。英飞凌是首家推出15V功率MOSFET的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。
与OptiMOS™ 5 25V相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻RDS(on)和FOMQg/FOMQOSS ，成为同类绝佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装(带底部和双面散热型)、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过500A，Rthjc为1.6K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势(如48:1 DC-DC 转换)提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时尽可能地减少了碳足迹。
一、主要特点
1、业内首款15V沟槽功率MOSFET；
2、与25V节点相比，RDS(on)达到新基准；
3、出色的FOMQg/FOMQOSS；
4、极低的寄生效应；
5、提供标准和中心栅极引脚；
6、可选双面散热型。
二、主要优势
1、适用于高转换率DC-DC转换器；
2、降低导通/开关损耗；
3、绝佳开关性能和低过冲；
4、源极底置中心栅极可优化并联电路布局；
5、源极底置标准栅极可与现有PCB布局轻松匹配；
6、双面散热，提高散热性能。
三、价值主张
1、适用于高比率DC-DC转换器：业内首款工业级15V垂直沟槽技术功率MOSFET；
2、与OptiMOS™ 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低30%；
3、出色的 FOMQOSS 和 FOMQg；
4、紧凑的PQFN 2x2 mm2封装；
5、ID(pulse)=516A，RthJCmax=3.2K/W；
6、双面散热PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装：
(1)简化散热管理；
(2)降低系统温度。
7、提高功率密度。
四、15V产品组合
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