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英飞凌(Infineon)推出采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块

英飞凌工业半导体 2023-11-10 13:50:04 203 Related Key Words: 英飞凌 MOSFET半桥模块

近日,英飞凌(Infineon)1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了 M1H芯片技术,模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。这些模块还提供预涂导热界面材料(TIM)版本。

英飞凌(Infineon)推出采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块

一、产品特点

1、集成体二极管,优化了热阻;

2、最高的防潮性能;

3、优越的栅极氧化层可靠性;

4、抗宇宙射线能力强;

5、符合RoHS标准要求。

二、应用价值

1、按照应用苛刻条件优化;

2、更低的电压过冲;

3、导通损耗最小;

4、高速开关,损耗极低;

5、对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为;

6、标准模块封装技术确保可靠性;

7、62毫米高产量生产线上生产。

三、竞争优势

1、通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品,以满足快速开关要求和低损耗的应用;

2、电流密度最高,防潮性能强。

四、应用领域

1、储能系统;

2、电动汽车充电;

3、光伏逆变器;

4、UPS。

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