近日，英飞凌(Infineon)推出用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET。
增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料(TIM)版本。
一、产品型号
1、FF17MR12W1M1H_B11
2、17mΩ 1200V
3、FF17MR12W1M1H_B70
4、17mΩ 1200V 低热阻
5、FF17MR12W1M1HP_B11
6、17mΩ 1200V TIM版本
7、FF33MR12W1M1H_B11
8、33mΩ 1200V
9、FF33MR12W1M1HP_B11
10、33mΩ 1200V TIM版本
二、产品特点
1、1200V CoolSiC™ MOSFET；
2、Easy1B封装；
3、Best-in-class 12毫米高度模块封装；
4、非常低的模块寄生电感；
5、RBSOA反向工作安全区宽；
6、栅极驱动电压窗口大；
7、PressFIT引脚；
8、两个阻值型号都有带有热界面材料版本。
三、应用价值
1、扩展了栅源电压最大值：+23V和-10V；
2、在过载条件下，Tvjop最高可达175°C；
3、最佳的性价比，可降低系统成本；
4、可工作在高开关频率，并改善对冷却要求。
四、竞争优势
1、引入新的M1H增强型1代芯片系列模块，Best-in-class 1200V Easy1B模块；
2、采用英飞凌WBG材料，达到功率和效率的新水平；
3、紧跟市场的新趋势，支持多种目标应用。
五、应用领域
1、电机控制和驱动；
2、不间断电源(UPS)；
3、电动汽车充电；
4、光伏系统的解决方案；
5、储能系统。
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