Vishay(威世)推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基(MPS)结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。日前发布的新一代SiC二极管包括5A至40A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器 AC/DC 功率因数校正(PFC)和 DC/DC 超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达 + 175 °C，正向额定浪涌电流保护能力高达260A。此外，D2PAK 2L 封装二极管采用高CTI ≥ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试。
器件规格表如下：
*免责声明：本文内容来源于Vishay威世科技，转载目的在于传递更多信息，不代表小猫芯城赞同或支持其观点，如有侵权或者不同意发布，敬请与我们联系2881671956@qq.com。
© 2015-2023 CMCALLS.NET All Rights Reserved. Guangdong ICP No. 16107059 -1
微信咨询
