onsemi(安森美)的型号MC1413BDR2G(点击立即购买)属于达林顿三极管，是阵列中的七个NPN达灵顿联接晶体管，非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤，其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题，最高500mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。
一、MC1413BDR2G的功能特点
1、高击穿电压：适用于高电压工作环境，内部抑制二极管可以避免与感性负载相关的问题 。
2、大电流承载能力：峰值浪涌电流达到500mA，能够驱动白炽灯 。
3、高直流电流增益：最小直流电流增益为1000，适合需要高增益的应用 。
4、适合逻辑系统使用：带有2.7kΩ串联输入电阻，非常适合使用5V TTL或CMOS逻辑的系统 。
5、宽工作环境温度范围：可以在-40至85°C的温度范围内工作 。
6、表面贴装封装：采用16引脚的SOIC封装，适合表面贴装技术(SMT) 。
7、Pb-Free封装：提供无铅封装选项，符合环保要求 。
二、MC1413BDR2G的应用领域
MC1413BDR2G是一款NPN达林顿双极晶体管阵列，其主要应用领域如下：
1、照明控制：适用于驱动白炽灯等照明设备，由于其能够承受峰值浪涌电流达到500mA 。
2、电源管理：在电源转换和管理领域，MC1413BDR2G可以提高效率并减少能耗，特别是在需要高效率和高温操作的场合 。
3、工业控制：由于其高击穿电压和内部抑制二极管，MC1413BDR2G适合于工业应用中驱动继电器或打印机锤等设备 。
4、消费电子产品：在消费电子产品中，该达林顿晶体管阵列可用于驱动各种负载，如小型电机或作为电源管理的一部分 。
三、MC1413BDR2G的中文参数
品牌：onsemi(安森美)
产品分类：达林顿三极管
封装：SOIC-16_150mil
包装：盘
晶体管类型：7NPN达林顿
电流-集电极(Ic)(最 大值)：500mA
电压-集射极击穿(最 大值)：50V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最 大值)：1.6V@500μA,350mA
电流-集电极截止(最 大值)：-
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)：1000@350mA,2V
功率-最 大值：-
频率-跃迁：-
工作温度：150℃(TJ)
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：MC1413
HTSUS：8541.29.0095
四、MC1413BDR2G的引脚图
五、MC1413BDR2G的封装图
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