IRF640NSTRLPBF(英飞凌MOS管)引脚图及中文参数介绍

Infineon(英飞凌)的型号IRF640NSTRLPBF(点击立即购买)属于场效应管(MOSFET)，采用International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这种优势，再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50瓦。

一、IRF640NSTRLPBF的功能特点

1、低导通电阻(RDS(ON))：在10V栅压下仅有0.15Ω 的导通电阻，可以在开关电路中实现低损耗。

2、高电流能力：最 大连续源漏电流达到18A，可满足各种功率电路的需求。

3、快速开关特性：上升时间tr=19ns，下降时间tf=5.5ns，可在高频开关电路中运用。

4、耐压能力强：器件的栅源、栅漏、源漏的耐压较高，可靠性高。

5、小型封装：采用TO-220封装，体积小，便于应用到紧凑型电路设计中。

6、广泛应用：适用于开关模式电源、马达驱动、逆变器等领域，是一款功耗和体积都较小的MOSFET。

二、IRF640NSTRLPBF的应用领域

IRF640NSTRLPBF是一款适用于多种应用领域的N沟道功率MOSFET器件，其主要应用领域如下：

1、开关电源：开关模式电源、DC-DC转换器、电源调节器。

2、电机驱动：电机控制、电机驱动电路、伺服驱动。

3、工业自动化：工业设备、机械设备、过程控制。

4、家用电器：电磁炉、微波炉、洗衣机。

5、电动车辆：电动自行车、电动汽车、电动叉车。

6、照明控制：LED照明驱动、压控开关调光。

7、通信系统：2G/3G/4G基站、卫星通信设备、无线网络设备。

三、IRF640NSTRLPBF的中文参数

品牌：Infineon(英飞凌)

产品分类：场效应管(MOSFET)

封装：D2PAK

包装：圆盘

FET类型：N通道

技术：MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)：200V

25℃时电流-连续漏极(Id)：18A(Tc)

驱动电压(最 大RdsOn,最小RdsOn)：10V

不同Id、Vgs时导通电阻(最 大值)：150毫欧@11A,10V

不同Id时Vgs(th)(最 大值)：4V@250μA

Vgs(最 大值)：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)(最 大值)： 1160pF@25V

FET功能：-

功率耗散(最 大值)：150W(Tc)

工作温度：-55℃~175℃(TJ)

安装类型：表面贴装型

基本产品编号：IRF640

HTSUS：8541.29.0095

产品应用：汽车级

不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最 大值)：67nC@10V

四、IRF640NSTRLPBF的引脚图

五、IRF640NSTRLPBF的原理图

六、IRF640NSTRLPBF的封装图