近日，三星正式宣布开始批量生产236层的3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。
据了解，新一代存储芯片可带来2400MTps的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级SSD的传输速度轻松超过12GBps。此外，第8代V-NAND可提供1Tb(128GB)的方案，三星称其为业界最高的位密度，但没有透露IC的尺寸或实际密度。
三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，其新一代 3D NAND 闪存可提高提高 20% 的单晶生产率，从而进一步降低了成本(在良率相同的情况下)，这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。三星并没有透露新品架构，但根据提供的图像，我们可以假设这是一种双平面 3D NAND芯片。
三星电子闪存产品和技术执行副总裁SungHoi Hur表示：“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”
不过，三星尚未宣布任何基于其第8代V-NAND内存芯片的实际产品，但我们可以推测第一批设备将迎合客户应用。
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