近日，英飞凌推出采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器。
REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。设计用于评估采用TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiC™ MOSFET。
采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位功能的EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED3122MC12H。
一、产品型号
REF-DR3KIMBGSIC2MA
二、所用器件
1、SiC MOSFET：IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V；
2、栅极驱动器：1ED3122MC12H 10A,5.7kV(rms)。
三、产品特点
1、用于集成驱动的三相伺服电机；
2、输入电压350VDC~800VDC；
3、输出电压220VAC~480VAC；
4、输出功率4.2kW：
(1)CoolSiC™ MOSFET 1200V,40mΩ G2；
(2)EiceDRIVER™ Compact,10A,5.7kV(rms)。
5、PCB直径110mm；
6、绝缘金属基板(IMS)PCB。
四、竞争优势
REF-DR3KIMBGSIC2MA是专为伺服电机和电机驱动器应用而开发的升级版逆变板和栅极驱动器板。客户可将其作为构建自己的伺服电机和驱动器集成的参考。它采用了英飞凌最 先进的器件，如CoolSiC™ MOSFET 1200V G2和EiceDRIVER™ Compact单通道隔离栅极驱动器。
五、应用价值
1、最 先进的英飞凌技术；
2、紧凑型设计；
3、具有高导热性能的印刷电路板；
4、自然冷却，无需冷却风扇；
5、过流检测电路；
6、带有隔离放大器的电流采样。
六、应用领域
1、电机控制和驱动器；
2、伺服电机驱动和控制。
七、框图
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