Nexperia(安世)推出首款LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)

近日，知名半导体器件制造厂商Nexperia(安世半导体)宣布推出首批80V和100V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175℃下工作，适用于先进的电信和计算设备。

凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia(安世半导体)推出的这款PSMN2R3-100SSE(100 V，2.3 m N沟道ASFET)作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm 封装尺寸中兼顾低 RDS(on)和强大线性模式(安全工作区)性能，可满足严苛的热插拔应用要求。此外，Nexperia(安世半导体)还发布了一款80V ASFET 产品 PSMN1R9-100SSE(80 V，1.9 mΩ)，旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用 48 V 电源轨的增长趋势，在这些应用中，环境条件允许 MOSFET 采用较低的 VDS 击穿电压额定值。

在热插拔和软启动应用中，具有增强型SOA的ASFET越来越受市场欢迎。当容性负载引入带电背板时，这些产品强大的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少。当 ASFET 完全导通时，低 RDS(on) 对于最大限度地降低I2R损耗也同样重要。除了 RDS(on) 更低且封装尺寸更紧凑之外，Nexperia(安世半导体)的第三代增强 SOA 技术与前几代 D2PAK 封装相比还实现了 10% SOA 性能改进(在50V、1ms 条件下，电流分别为33A和30A)。

Nexperia(安世半导体)的另一项创新在于，用于热插拔的新型 ASFET 完整标示了25℃ 和125℃下的 SOA 特性。数据手册中提供了经过全面测试的高温下 SOA 曲线，设计工程师无需进行热降额计算，并显著扩展了实用的高温下 SOA 性能。

到目前为止，适合热插拔和计算应用的ASFET 通常采用较大尺寸的 D2PAK 封装(16x10mm)。LFPAK88 封装是D2PAK封装的理想替代选项，空间节省效率高达 60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)仅为 2.3 mΩ，相较于现有器件至少降低了 40%。

LFPAK88 不仅将功率密度提高了58倍，还提供两倍的ID(max) 额定电流以及超低热阻和电阻。该产品结合了Nexperia(安世半导体)先进的晶圆和铜夹片封装技术的功能优势，包括占用空间更小、RDS(on)更低以及SOA性能更优。Nexperia(安世半导体)还提供采用5x6 mm LFPAK56E 封装的25V、30V、80V和100V ASFET系列产品，并针对需要更小PCB管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。

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