近日，国内存储行业迎来重大喜讯，至讯创新宣布其完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。这是国内存储行业的跨越式突破，技术水平已赶超国际一流。
据了解，这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。
其即可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。通过技术的创新实现了芯片面积缩小40%，I/O速度提升25%，擦写周期提升70%，芯片性能超越国内同类竞品。
讯创新联合创始人、董事长汤强博士：“在过去的几个月里，我们的研发团队面对疫情、技术等重重考验，用最短的时间攻克了道道难关。此次19nm芯片的成功研制是至讯创新破茧成蝶的第一步，未来我们将持续加大研发投入，与更多合作伙伴展开更深度协作，保持每年两到三个先进工艺项目的开展，使更具有创新力、竞争力的产品陆续登陆市场。”
至讯创新联合创始人、CEO龚翊女士：“这款核心产品性能卓越又极具性价比，应用领域非常丰富。目前，我们已顺利与几大重要合作伙伴签署战略合作协议，明年将从核心大客户端发力，确保在全球存储市场低迷的情况下实现逆势上扬，一举提升我们的市场占有率。”
至讯创新联合创始人、COO王超先生：“目前公司正进行A轮融资，我们将抓住这个资本市场的战略窗口期，充分发挥资本的强力支撑作用，为公司的研发、运营和业务推广注入更多动力，不断提升工艺的先进性、产品的竞争性和服务的全面性，为实现我国存储芯片的国产替代提供更多助力。”
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