近日，美光宣布已经提前量产全球首款232层3D NAND芯片，这预示着3D NAND芯片正式进入200+层时代。
据了解，美光的232层3D NAND芯片设计建立在其CMOS under array(CuA)的架构之上，单颗232层3D NAND芯片可以提供高达1TB的巨大存储容量，较176层3D NAND芯片性能有极大提升。
与176层3D NAND芯片相比，美光232层3D NAND芯片的单位面积密度高出45%以上，数据处理速度快50%，如果使用全新的11.5mmx13.5mm封装技术，就可以比上一代封装的芯片体积再小28%，可以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。
今年5月，美光表示232层NAND闪存的量产定于今年年底。然而，它比原计划提前了两个月发布了这款产品，美光期待该产品能成为人工智能和云计算领域的高性能产品。
目前，三星、西部数据、铠侠等厂商也都在往200+层3D NAND闪存领域发力，竞争愈发激烈。
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