存储芯片价格撑不住了！云服务器需求崩垮在即

　　自今年下半年以来，DRAM存储行业经历了两年多的繁荣，明显处于枯竭状态。最初，各行各业的人们都担心国内的工厂投资、研发、大规模进入存储领域的动作，恐埋下产业长期供过于求的隐忧。RAM价格逐一下跌，尤其是近年来受云服务器驱动的DRAM需求大幅减弱，担心对行业造成致命打击。

　　DRAM行业经历了两年的繁荣，一部分原因是上游供应商的整合让产业秩序健康化，一部分原因是应用端结构的质量变化。
　　早期的计算机应用占DRAM行业的90%。观察DRAM价格的变化只要看计算机卖得好不好的，就几乎能掌握全貌。然而，PC时代的结束，迎来了手机热潮的到来，全球DRAM行业也发生了巨大的变化。

　　智能手机、云服务器崛起，DRAM应用多元化让产业发展更健康

　　智能手机的兴起已经逐渐取代了PC作为DRAM行业的主流，加上消费类电子产品作为行业的利基应用领域，此时要掌握DRAM的供应和需求，以及价格趋势的难度都有了显著提高。

　　前几年更有云服务器需求崛起，大量消耗DRAM产出，可以观察到，DRAM的应用是十分多元化的。无论是供应商的整合还是终端应用的多样化，都将使DRAM产业更加健康。

　　过去两年中，DRAM价格的飙升，导致了对云服务器DRAM需求涌现的带动是功不可没的推手，包括Facebook、Google、亚马逊、腾讯、阿里巴巴，以及对云存储和云计算的需求增加，更是吃掉多数的DRAM产能。

　　然而，这些地区的需求动能在开始明显趋缓。

　　为了应对需求的涌入，上游国际存储厂增加了服务器DRAM输出的比例，然下半年起，需求端却陆续有杂音出现，包括之前DRAM供给吃紧之际，部分客户为了保障拿货无虑，出现重复下单（Overbooking）的迹象，在这些因素的乘数效应下，服务器DRAM的价格确实不容乐观。

　　第四季各类DRAM需求明显转弱，现货价低于合约价出现“死亡交叉”

　　根据市调机构TrendForce指出，韩国工厂在第四季度下调了DRAM的报价，估计第四季度下降了5%。这也是服务器DRAM涨价多时以来，第一次有明显的转弱讯号出现。随着云服务器在DRAM价格上涨的浪潮中扮演着举足轻重的角色，其需求转弱，预计整个DRAM产业将在此形成反转向下的拐点。

　　综合手机用MobileRAM、计算机PCDRAM、消费型电子ConsumerDRAM，一直到云服务器应用的ServerDRAM价格都逐一转为疲弱。TrendForce统计，第四季整体DRAM合约价扩大下跌至5%。

　　业内人士分析，现货市场价格从年初开始下降，今年六月底正式低于合同价格，现货价格已经低于合同价格的10%左右，这种情况常被称为“死亡交叉”，对于产业供需走势是不好的征兆，预示着期货合约价格将被现货价格压低。.

　　不过，若是回顾年初的DRAM产业气氛，当时仍是一片晴空万里。韩系存储大厂三星、SK海力士第一季仍是持续调涨标准型、服务器、消费型和行动式等DRAM价格，当时整个市场供不应求的气氛并未获得纾解，当中，又以服务器DRAM缺货最严重。

　　因为来自全球各地的云服务、云计算需求涌现，且服务器DRAM的规格高阶，价格也较好，估计服务器DRAM报价相较于智能手机用的行动式DRAM高出20%，因此，有能力的存储制造商在产能的调配上，会逐渐转到服务器DRAM产品上。

　　英特尔处理器缺货，PC和服务器陆续受影响，将冲击存储价格加大跌幅

　　下半年存储价格转弱的另一个原因，是英特尔新平台WhiskeyLake缺货，影响计算机业者的出货，更进一步影响到整个存储产业的需求，冲击存储DRAM和NANDFlash的价格。

　　英特尔处理器的短缺，不仅是14nm+的改进版，包括已量产半年多的14nm+的CoffeeLake产品线也同样是供给吃紧，因此对于整个计算机产业的出货造成冲击，预计明年才会纾解。
　　根据TrendForce对个人电脑DRAM第四季度价格下跌的预测，原有降幅约为2%，但由于英特尔供应不足，PCDRAM消费量恐怕进一步减少，PCDRAM第四季度价格下跌将扩大。而且NAND闪存芯片的价格也受到影响。

　　在服务器产业也是一样，笼罩在英特尔处理器缺货的阴影下，若是PC和服务器的处理器芯片双双缺货，对存储价格是雪上加霜。

　　英特尔的Xeon可扩展处理器系列是基于SkyLinkSP架构的。Pulle服务器平台被业界认为是英特尔在过去十年中最重要的产品线。它将取代GRANTLLY平台，并作为数据中心和网络基础设施。体积设计。

　　业内人士曾预计，今年下半年，当英特尔服务器平台从Grantley平台向新平台Purley平台转型时，看到新旧平台开始新的变化，但英特尔产能不足的消息，未来这一股缺货浪潮将扩展到服务器。影响整个服务器行业的出货情况也令人担忧。

　　未来一年，是国内自制存储芯片问世的重要期

　　DRAM和NAND闪存芯片已经发展了两年多。去年下半年，由于3DNAND的高产量，NAND闪存芯片开始大量生产，导致价格率先疲软，累积至今已经下跌一年了，接棒是DRAM价格的走弱，都是反映半导体景气周期的变动。

　　今年，不仅是全球存储价格走弱，还有另一件大事，就是国内自制的存储芯片开始进入验收期，明年有机会进行小规模生产。原本各界担心，国内存储芯片的量产，恐抑制全球DRAM价格，尤其12吋晶圆厂是遍地开花，潜在产能不是小数目。

　　全球存储价格反转向下之际，正值国内三大存储阵营要开始试产，包括生产DRAM的福晋建华、合肥长鑫，以及生产3DNAND芯片的长江存储，这不但考验存储产业中长期的供需平衡、价格走势，更考验这三大阵营未来的营运走势。
　　对比过往全球DRAM供应商还是6~8家时，供应非常混乱，每个供应商都在竞争扩大生产，加上应用过于集中在PC单一行业，没有其他应用可以分担行业淡季的影响，导致DRAM价格剧烈波动。

　　但现在供应商已经整合为三，大家都控制了生产的扩张，所以整个行业板块一直相对稳定，这种2~3年才出现一次的价格反转周期，其实反映着产业健康的轮动，是自然现象。

　　不过，未来国内自制存储芯片是蓄势待发，无庸置疑是全球最不确定的一个大变数。在产业政策的大力支持下，生产计划和技术研究开发都全力以赴，没有研发成不成功的问题，只有何时量产的期待值。未来，国内存储大厂有机会在国际市场上成为一股新势力。韩国和美国的大型工厂将如何接招，也牵动全球存储版图的风貌！