本文将为你介绍第4代SiC MOSFET的特点，初步了解ROHM(罗姆)第4代SiC MOSFET的应用效果。
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。
1、改善了短路耐受时间，并实现了更低导通电阻
第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第3代SiC MOSFET相比，导通电阻降低约40%。第4代SiC MOSFET的导通电阻是业内超低级别的导通电阻。
2、大幅降低寄生电容，开关损耗更低
通过大幅降低栅-漏电容(CGD)，成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约50%。
3、支持15V栅-源电压驱动，使应用产品的设计更容易
第4代SiC MOSFET将用来驱动MOSFET的栅-源电压VGS降至15V。到第3代SiC MOSFET时，栅-源电压VGS为18V，而第4代则支持15V驱动，这将使应用产品的设计更加容易。
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