ROHM(罗姆)600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS产品阵容又增新品

ROHM(罗姆)的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS™产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”(含7款机型)。

此外，高速开关型600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容中也新增了导通电阻更低的“R60xxYNx系列”(含2款机型)。

一、PrestoMOS™ R60xxVNx系列的亮点

1、实现业界超快反向恢复时间(trr)，同时，与同等的普通产品相比，与trr存在此消彼长关系的导通电阻可降低多达20%；

2、继承了以往产品已经实现*2的105ns*3业界超快反向恢复时间，与同等普通产品相比，开关时的功率损耗减少了约17%；

3、基于这两大特点，与同等的通用产品相比，可大大提高应用产品的效率；

4、非常适用于EV充电桩、服务器和基站等，需要大功率的工业设备的电源电路；

5、产品更节能，也非常适用于变频空调等白色家电的电机驱动。

二、PrestoMOS™ R60xxVNx系列的特点

在工业设备和白色家电领域，要求进一步提升产品效率，这也就对功率半导体提出了进一步降低功率损耗的强烈需求。PrestoMOS™ R60xxVNx系列是对以往的PrestoMOS™改进后的Super Junction MOSFET，不仅保持了PrestoMOS™的特点——超快反向恢复时间，还进一步降低了导通电阻。

1、保持业界超快反向恢复时间，同时实现业界超低导通电阻

PrestoMOS™ R60xxVNx系列通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。导通电阻和反向恢复时间之间存在此消彼长的权衡关系，该系列产品在保持以往PrestoMOS™已实现的业界超快反向恢复时间的同时，还成功地将导通电阻降低多达20%(与TO-220FM同等封装的同等普通产品比较)。导通电阻和反向恢复时间性能的比较结果如下图所示。

2、实现业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低

通常，当工艺向更微细的方向发展时，“导通电阻”等基本性能会得到改善，但“反向恢复时间”特性会变差。PrestoMOS™ R60xxVNx系列不仅实现了比同等普通产品更低的导通电阻，还利用ROHM自有的高速技术保持住了以往PrestoMOS™已实现的105ns业界超快反向恢复时间(与TO-220FM同等封装产品比较)。超快反向恢复时间可减少功率损耗，与同等普通产品相比，开关时的功率损耗可降低约17%。

下图是效率比较示例，在评估板上搭载追求高效率的同步整流升压电路，比较R60xxVNx系列与普通产品(导通电阻60mΩ级产品)的效率。从比较结果可以看出，使用R60xxVNx系列可以获得比普通产品更高的效率，这将非常有助于进一步降低应用产品的功耗。

三、PrestoMOS™ R60xxVNx系列和高速开关型R60xxYNx系列产品阵容

下表中列出了此次发布的PrestoMOS™ R60xxVNx系列的7款机型和开发中的产品。另外，后面还列出了新增两款机型的高速开关型R60xxYNx系列的亮点和产品阵容。为了便于客户根据应用需求选用合适的产品，ROHM正在致力于打造更加丰富的产品阵容。

1、PrestoMOS™ R60xxVNx系列产品阵容

测试条件：导通电阻60mΩ级产品、环境温度25℃、输入电压220V、输出电压400V、L=500μH、频率70kHz、关断时的VDS过冲条、输出功率(W)。

☆：开发中

※封装名称采用JEDEC标准。( )内表示ROHM封装名，〈 〉内表示GENERAL代码。

2、高速开关型R60xxYNx系列的亮点和产品阵容

(1)漏极电流密度更高，导通电阻显著降低；

(2)与以往产品相比，单位面积的导通电阻降低了40%，Ron×Qgd降低了30%；

(3)这些性能的提升将非常有助于提高电源效率。

☆：开发中

※封装名称采用JEDEC标准。()内表示ROHM封装名，<>内表示GENERAL代码。

三、PrestoMOS™ R60xxVNx系列应用示例

R60xxVNx系列适用于以下应用领域：

1、电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器(功率调节器)、不间断电源(UPS)等；

2、空调等白色家电；

3、其他各种设备的电机驱动和电源电路等。

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