近日，罗姆(Rohm)新推出“RS6xxxx系列/RH6xxxx系列”共13款Nch MOSFET产品(40V/60V/80V/100V/150V)，备受各个厂家的青睐。
与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，罗姆通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
一、产品特点
1、采用铜夹片结构封装
支持大电流，封装电阻更低。
2、同时降低了导通电阻和栅极电荷容量(权衡关系)，有助于减少能量损耗
采用铜夹片结构和新工艺元件，实现业内超低导通电阻。通过优化器件的栅极结构，还同时降低了栅极电荷容量。
3、以小型5060尺寸和3333尺寸封装扩充产品阵容
产品阵容中包括40V/60V/80V/100V/150V耐压的13款机型(24V/36V/48V输入需要考虑尖峰和噪声容限)。
二、产品阵容
1、RS6xxxx系列
产品料号分别为：RS6G120BG、RS6G100BG、RS6L120BG、RS6L090BG、RS6N120BH、RS6P100BH、RS6P060BH、RS6R060BH、RS6R035BH。
2、RS6xxxx系列
产品料号分别为：RH6G040BG、RH6L040BG、RH6P040BH、RH6R025BH。
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