TI(德州仪器)推出GaN场效应晶体管(FET)系列新品

近日，TI(德州仪器)发布低功耗氮化镓(GaN)系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。TI的GaN场效应晶体管(FET)全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。

德州仪器高电压电源部总经理Kannan Soundarapandian表示：“如今，消费者需要更小、更轻、更便携，同时还能快速充电的高能效电源适配器。借助我们发布的新品，设计人员可将低功耗 GaN 技术的功率密度优势应用到更多消费者日常使用的产品中，如手机和笔记本电脑适配器、电视电源装置和 USB 墙壁插座。此外，德州仪器的产品组合还能满足电动工具和服务器辅助电源等工业系统对高效率紧凑型设计日益增长的需求。”

带集成栅极驱动器的全新GaN FET产品组合包括LMG3622、LMG3624 和LMG3626，提供业界超精确的集成电流检测功能。与使用分立式GaN和硅FET的传统电流检测电路相比，由于集成电流检测功能，无需再连接外部分流电阻器，同时可将相关功率损耗降低高达94%，帮助设计人员大幅提高效率。

1、大幅提高能效并简化散热设计

TI带集成栅极驱动器的 GaN FET 可实现更快的开关速度，有助于防止适配器过热;还支持设计人员将小于 75W 的交流/直流应用的系统效率提升至 94%，将大于 75W 的交流/直流应用的系统效率提升至 95% 以上。与硅基解决方案相比，TI全新器件可帮助设计人员将典型67W电源适配器解决方案的尺寸缩小多达50%。

该产品组合还针对交流/直流电源转换中常见的拓扑结构(如准谐振反激式、非对称半桥反激式、电感-电感转换器、图腾柱功率因数校正和有源钳位反激式)进行了优化。

2、长期投资氮化镓制造

TI的自有制造历史悠久、遍及全球且呈现区域多元化的特点，在全球 15 个制造基地中包括多家晶圆制造厂、封装测试厂以及凸点加工厂和晶圆测试厂。十年多来，TI一直致力于研究与发展氮化镓技术。

TI计划到2030年自有制造 90% 以上的产品，因此，在未来数十年内能为客户提供更可靠的产能。

3、封装与供货情况

TI现已提供可量产的LMG3622和LMG3626器件和预量产的LMG3624器件。

(1)器件采用 8mm x 5.3mm、38 引脚 Quad Flat No-lead 封装；

(2)支持多种付款方式和发货方式；

(3)此外，还提供不带集成电流检测功能的引脚对引脚器件 LMG3612 和 LMG3616。

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