Nexperia(安世)：热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品介绍

近日，Nexperia(安世半导体)的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品入围2023“全球电子成就奖“年度功率半导体，下面就来具体介绍一下。

一、采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)

1、关键技术

强大的线性模式性能可高效可靠地管理浪涌电流。当ASFET完全导通时，低RDS(on)可最大限度地降低I2R损耗。封装尺寸更紧凑之外，Nexperia的第三代增强SOA技术与前几代D2PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进(在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为33 A和30 A)。

2、产品优势

采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 两种型号，兼顾低RDS(on)和强大线性模式性能，非常适合进的电信和计算设备中要求苛刻的热插拔和软启动应用。与前几代产品相比具有增强的SOA、数据手册中提供了经过全面测试的高温下SOA曲线，以及节省空间的尺寸，为热插拔和计算应用提供了优化的解决方案，提供了业界领先的功率密度改进。

此外，另一款80 V ASFET产品PSMN1R9-80SSE(80 V，1.9 mΩ)，旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用48 V电源轨的增长趋势，在这些应用中，环境条件允许MOSFET采用较低的VDS击穿电压额定值。

3、应用场景

(1)“热插拔”和“软启动”系统中的浪涌管理；

(2)48V 电信和以太网供电 PoE 系统；

(3)12V计算服务器系统；

(4)电子保险丝和电池管理系统。

二、碳化硅(SiC)肖特基二极管(650 V, 10 A)

1、关键技术

合并PIN(MPS) 碳化硅肖特基二极管

2、产品优势

具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。

合并PIN肖特基(MPS)二极管通过在制造过程中降低芯片厚度而进一步提高其性能，并具备其他优势，例如出色的浪涌电流耐受能力，从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。

采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P and D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。

3、应用领域

该工业级器件可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。

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