面对日益增长的大功率和高电压工业应用需求，Nexperia(安世半导体)的碳化硅MOSFET展现出了出色的性能优势。这些高性能器件特别适用于电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动器等关键应用领域。
Nexperia碳化硅MOSFET的RDSon温度稳定性出色、开关速度快且短路鲁棒性高，可满足日益增长的大功率和高电压工业应用需求，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器的优选产品。
一、设计优势
1、开关损耗非常低；
2、快速反向恢复；
3、开关速度快；
4、关断时的开关损耗不受温度变化影响；
5、固有体二极管速度很快且稳健性佳。
二、关键应用
1、电动汽车充电基础设施；
2、光伏逆变器；
3、开关模式电源；
4、不间断电源；
5、电机驱动器。
三、主要技术特性
1、RDSon温度依赖性优于同类产品；
2、栅极电荷性能优越和栅极电荷比；
3、阈值电压容差非常小；
4、体二极管稳健性强，正向电压非常低；
5、1200 V时漏电流更低。
*免责声明：本文内容来源于安世半导体，转载目的在于传递更多信息，不代表小猫芯城赞同或支持其观点，如有侵权或者不同意发布，敬请与我们联系2881671956@qq.com。
© 2015-2023 CMCALLS.NET All Rights Reserved. Guangdong ICP No. 16107059 -1
微信咨询
