近日，Nexperia(安世半导体)宣布扩充NextPower 80/100V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK 56和LFPAK 88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、 USB - PD和电机控制应用。
长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而，一味地降低该品质因数导致产生了意外后果，在打开或关闭MOSFET时尖峰耐压升高，从而使得产生的电磁干扰(EMI)增加。确认这一新问题后，Nexperia(安世半导体)立即开始研究如何改善其他工艺技术参数，以帮助解决此问题。Nexperia(安世半导体)的不懈努力最终促成了NextPower 80/100 V MOSFET的发布。该器件的Qrr(反向恢复电荷)较低，因此可显著降低开关转换期间的尖峰值，同时表现出与竞品MOSFET相同的高效性能，且具有更低的EMI。
通过为高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封装系列，Nexperia(安世半导体)不仅可以帮助设计人员缩小应用尺寸并体验到铜夹片封装的超强可靠性，而且还为设计工程师和客户提供了新的选择，希望为现有设计提供额外的资源。
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