NCP51820AMNTWG(栅极驱动芯片)引脚图及中文资料介绍

安森美(onsemi)的型号NCP51820AMNTWG属于栅极驱动芯片，NCP51820AMNTWG高速栅极驱动器设计用于满足驱动增强模式(e−模式)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT)、氮化镓(GaN)离线电源开关、半桥电源拓扑的严格要求。

NCP51820AMNTWG提供短和匹配的传播延迟与先进的电平转移技术提供−3.5 V到+ 650v(典型)共模电压范围为高的−侧驱动器和−3.5 V到+3.5 V共模电压范围为低的−侧驱动器。此外，该器件可为高速开关应用中的两个驱动器输出级提供稳定的额定电压高达200 V/ns的dV/dt工作。

为了充分保护GaN功率晶体管的栅极免受过高的电压应力，两个驱动级都采用了专用的电压调节器来精确地保持栅极-源驱动信号的幅值。该电路主动调节驱动器的偏置导轨，从而在各种操作条件下防止潜在的栅源过电压。

NCP51820AMNTWG提供了重要的保护功能，如独立的欠压锁定(UVLO)，监测VDD偏置电压和VDDH和VDDL驱动偏置以及基于器件的模结温度的热关机。可配置可编程死时控制，防止交叉导通。

一、NCP51820AMNTWG的功能特点

1、650 V，集成高侧和低侧栅极驱动器；

2、软交换应用推荐；

3、VDD高侧和低侧驱动器的UVLO保护；

4、双TTL兼容施密特触发输入；

5、分离输出允许独立的开/关调节；

6、来源能力:1 A;下沉能力:2 A；

7、SW和PGND:负电压瞬变，可达3.5 V；

8、200v /ns dV/dt适用于所有SW和保护地线参考电路；

9、最大传播延迟小于50 ns；

10、匹配的传播延迟小于5ns；

11、用户可编程死区−时间控制；

12、热停堆(TSD)。

二、NCP51820AMNTWG的应用领域

NCP51820AMNTWG广泛应用于工业变频器、电机驱动器、交流到直流转换器等领域。

三、NCP51820AMNTWG的中文参数

品牌：onsemi(安森美)

产品分类：栅极驱动芯片

封装：15-QFN(4x4)

电压-供电：9V ~ 17V

工作温度：150°C(TJ)

安装类型：表面贴装型

基本产品编号：NCP51820

RoHS状态：符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级(MSL)：1(无限)

REACH状态：非 REACH 产品

ECCN：EAR99

HTSUS：8542.39.0001

驱动配置：半桥

通道类型：独立式

栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET

逻辑电压-VIL，VIH：-

电流-峰值输出(灌入，拉出)：1A，2A

输入类型：非反相

上升/下降时间(典型值)：2ns，1.5ns

高压侧电压-最大值(自举)：670 V

四、NCP51820AMNTWG的引脚图

五、NCP51820AMNTWG的原理图

六、NCP51820AMNTWG的封装图