IGBT是由4个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS) 栅极的电压进行控制。虽然第三代宽禁带技术碳化硅正获得越来越多的关注，但许多应用仍适合继续使用IGBT， 在技术的不断发展和升级下，IGBT可实现更低的开关损耗和更高的功率密度。
1、全新第7代1200V IGBT
安森美(onsemi)推出的超高能效明星IGBT，具备业界领先的性能水平，能尽可能地降低导通损耗和开关损耗，助力客户的系统设计。
全新FS7 S系列采用新颖的场截止第7代IGBT和二极管技术，集成一个经优化的二极管以实现低VF 、微调的开关软度，可在高达175°C的结温 (TJ) 下工作。FGY140T120SWD在市场上现有的1200V IGBT中具有领先的开关性能。
2、储能系统方案
电池可以用来储存太阳能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。
了解电池储能系统 (BESS) 的设计挑战和考虑因素、常用拓扑结构以及选择最适合您要求的电源转换半导体器件的技巧。
3、首次精确仿真
Elite Power Simulator在线仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程师在开发周期的早期阶段，通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真，获得有价值的参考信息。
Elite Power仿真工具通过引领业界的PLECS模型推动先进技术的发展，这些模型适用于DC-DC LLC和CLLC谐振、双有源桥和相移全桥等硬开关和软开关应用。
4、150V N沟道MOSFET屏蔽栅PowerTrench
安森美屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET将导通电阻降至尽可能低，并通过领先的软体二极管保持良好的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Qrr更低。
5、IGBT模块 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT
NXH800A100L4Q2包含一个A-Type NPC级，集成1000V FS4 IGBT、1000V极快二极管和一个NTC热敏电阻。
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