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安森美(onsemi)电动车充电桩方案设计与核心EliteSiC功率器件

安森美 2023-06-21 10:01:26 100 Related Key Words: 安森美 EliteSiC功率器件

随着全球电动车市场的快速发展,越来越多车用半导体大厂纷纷投入开发相关的应用,其中电动车EV充电桩是不可或缺的周边设备,就像燃油车需要加油站一样,必须提高EV充电桩的布建密度才能因应电动车的发展。

然而,EV充电桩的用电量动辄高达数百KW,若没有考虑到用电质量及效率,势必会造成另外一个电力供应问题,本文将介绍安森美(onsemi)电动车EV充电桩方案与实现800V直流快充的核心EliteSiC功率器件。

一、800V 25kW直流快充模块

随着当今电动车主电池电压从 400V 增加到 800V,公共充电基础设施也正在支援800V电动车充电架构,有助于车主们在公路旅程,加快公共充电时间。直流充电站可以提供高达350 kW 的功率,并在15分钟内为电动车充满电。由于其快速充电能力,直流快速充电器是公共停车地点的理想选择。另外,单台壁挂式或落地式50kW直流快速充电器也能够为市场上的所有电动车充电,最大限度地利用购物中心/办公楼/零售场所的停车位。

一个采用模块化充电解决方案的350 KW充电站,可以在大型机柜中通过堆栈多个25kW模块快速部署安装。安森美为25kW交流/直流转换器的功率级提供F2封装的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG,它是一款4mΩ/1200V SiC MOSFET 2-PACK半桥拓扑结构及一个NTC热敏电阻。通常前端功率级是一个双向3相6开关PFC拓扑结构,需要用到3个NXH004P120M3F2PTHG功率模块;而后端功率级是一个双向相移全桥DC/DC拓扑结构,需要4个NXH004P120M3F2PTHG功率模块。

1、产品特色

(1)4mΩ/ 1200 V M3S SiC MOSFET 半桥;

(2) 直接覆铜基板(DBC);

(3) NTC热敏电阻;

(4)带或不带预涂热界面材料(TIM);

(5)带有可焊接引脚和压接引脚的选项;

(6)这些器件不含铅、不含卤化物且符合 RoHS 标准。

2、内部框图

3、设计优势

安森美推出了EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG适用于交流/直流转换器功率级。首先是4mΩ的低导通电阻实现较低的导通损耗,其次是两个关键参数EON为1.77mJ、EOFF为1.18mJ实现更低的开关损耗。因此, EliteSiC功率器件可以在更高的开关频率下工作,具有更高的转换效率和更少的废热。整体表现是优于传统的IGBT/MOSFET模块。

功率模块使用了直接覆铜基板(DBC)作为裸晶的承载体,结-壳热阻RthJC已经包含了绝缘层。可以在NXH004P120M3F2PTHG的规格书中找到RthJC和RthJH热阻参数,分别是0.121℃/W和0.263℃/W。由于它的导热能力更好,使得模块可以在更高的功率下运行。

4、结语

安森美的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG的最大工作接面温度为175°C,需要外部控制和栅极驱动器。该模块整合一个5kΩ的NTC,用于测量模块内部裸晶的温度,它对于散热系统中的散热片设计是非常重要的。NXH004P120M3F2PTHG提供更好的散热表现,有助于电源设计者构建更高功率密度的EV直流快速充电桩产品。

二、600V~900VDC(Max) 及6KW输出

安森美NTBG022N120M3S(1200V, SiC MOSFET) + NCD57084(隔离IGBT驱动IC),应用在600V~900VDC(Max) 及6KW输出的EV充电桩。

1、demo板照片

2、方案框图

3、核心技术优势

(1)NTBG022N120M3S 1200V SiC MOSFET,是安森美第三代半导体SiC MOSFET, Rds_on(Max)=30mohm@18V(Vgs),具有极低的Gate Charge Qg(tot)=151nC 及容抗Coss=146 pF,适合应用在高电压、大电流及高速切换的工作条件,Vgs (闸源极) 最大电压范围为-10/+22V,建议Vgs sop操作电压-3/+18V。

(2) NCD57084 安森美IGBT隔离驱动IC,具有高驱动电流(+7A/-7A)及2.5KVrms 内部电气隔离电压,另外配备 DESAT Pin 侦测 IGBT 短路故障,相关功能如下示:

a.具有可编程设计延迟的DESAT保护;

b.负电压(低至 −9V)能力,适用于 DESAT;

c.短路期间的IGBT栅极箝位;

d.IGBT栅极有源下拉;

e.IGBT短路期间软关断(Soft Turn-off);

f.严格的UVLO 准位,实现偏差Bias灵活性;

g.UVLO/DESAT期间的输出部分脉冲回避(重新启动);

h.3.3 V、5 V和15 V逻辑电压准位输入;

i.2.5 kVrms 电压;

j.高瞬态抗扰度;

k.高电磁抗扰度。

(3)高效率辅助电源及DC-DC 转换器:在此开发板中,初级侧驱动电路是由外部电源提供,规格为12V/1A,次级侧由NCV3064 IC组成高效率辅助电源,提供+12V~+18V , -3.5Vdc电压供驱动电路使用。

4、方案规格

输入电压:600 V to 800 VDC (最大可允许900VDC);输出功率:6KW;输出电压:600V;输出电流:10A;操作频率:50KHZ。

*免责声明:本文内容来源于安森美,转载目的在于传递更多信息,不代表小猫芯城赞同或支持其观点,如有侵权或者不同意发布,敬请与我们联系2881671956@qq.com。

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