提高大功率单相输入电源的效率和功率密度，是当今设计人员面临的一个挑战，特别是考虑到中等负荷条件下(20%至50%)的效率。这种功率水平的电源需要功率因素校正(PFC)，使用无桥PFC来取代输入整流桥可以提高效率。
通过在图腾柱PFC架构中使用SiC MOSFET ，有可能实现更高的功率密度和效率，因为在这个功率水平上，开关频率比其他方案高得多。
安森美(onsemi)的混合信号控制器NCP1681专用于无桥图腾柱功率因数校正(TP PFC)拓扑结构，该控制器以适用于达350W设计的NCP1680的成功为基础，将功率能力扩展到千瓦范围。
NCP1681高功率TP PFC控制器结合成熟的控制算法和新颖的功能，提供一个高性能和高性价比的TP PFC方案，也可满足具挑战的能效标准，诸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在广泛的负载范围内提供高能效的标准。
除了TP PFC控制器外，安森美还提供各种SiC MOSFET和隔离门极驱动器，可用于图腾柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低导通电阻(RDS(on))和紧凑的芯片尺寸，确保低电容和门极电荷(Qg)，在缩小的系统尺寸中提供极高能效，从而实现高功率密度。当NCP1681与NCP51561电隔离门极驱动器一起使用时，可实现稳定可靠的设计而不会牺牲开关性能。
*免责声明：本文内容来源于安森美，转载目的在于传递更多信息，不代表小猫芯城赞同或支持其观点，如有侵权或者不同意发布，敬请与我们联系2881671956@qq.com。
© 2015-2023 CMCALLS.NET All Rights Reserved. Guangdong ICP No. 16107059 -1
微信咨询
