6月30日，三星半导体发布新闻稿正式公布，三星基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 GAA)工艺节点的芯片已经开始初步生产。这也意味着三星抢先台积电，正式成为全球第一家实现3nm制程量产的厂商。
不过，目前不清楚三星所谓的“开始初步生产”是处于什么阶段，究竟是试产，还是小批量或大批量生产？
当下领先的芯片代工市场，主要有三星和台积电两大玩家。近年来，台积电一直领先于三星，是世界上公认最先进的代工芯片制造商，控制着全球约54%的芯片合同生产市场，供苹果和高通等没有自己的半导体设施的公司使用。
如今三星率先宣布采用3nm制程工艺生产芯片，这必将对台积电造成不小的压力。台积电一直稳坐全球芯片代工龙头的宝座，得益于手中掌握着最先进的芯片制造技术，若3nm制程工艺落后于三星，无疑将加大三星电子竞争的筹码，甚至可能全球第一的位置不保。
此外，三星电子声明表示，和传统5nm制程芯片比，研发出的第一代3nm制程，可以减少16%的面积，降低45%的功耗，提升25%的效能。不过，早前有外媒披露测试报告指出，三星4nm的良率仅有35%，远远不如台积电的70%水平，三星早期3nm的良率也只有10至20%左右，这让多家厂商不得不将订单转给台积电。
总的来说，虽然三星比台积电更早一步踏入3nm制程工艺，但三星在过去几年的竞争中受到生产线良率的阻碍，三星研发的3nm制程是否能逆转劣势发展局势，仍未可知。
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