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台积电杀进3纳米 决战三星

作者:小猫芯城 发布时间:2019/10/28 来源:网络整理 浏览量:39 相关关键词: 台积电 3纳米 三星
台积电在7纳米、5纳米制程完封三星后,目前更加快3纳米研发,以延续领先地位,不让对手三星有先缝插针抢单的机会,据电子时报报导,台积电3纳米传出提前启动,位于南科30公顷用地,可望提前4个月、预计于今年底即可完成交地,摆明就是冲着三星而来。

  报导指出,相较于三星陷入7纳米EUV制程良率困境,台积电7纳米以下制程持续推进,几乎吃下所有芯片大厂订单,而5纳米预计明年第2季量产,目前传出苹果、华为和高通将抢下首波产能。
  三星7月底曾宣布将在3纳米制程推出全新“环绕栅极”(Gate-All-Around,GAA)技术,号称超前台积电1年,更赢过英特尔2~3年。

  三星推出全新GAA技术的3纳米制程跟当前7纳米相较,可使耗能降低50%,芯片面积缩减45%,效能提高35%,预计2021年正式量产;而台积电也持续加快3纳米技术研发,预计2021年进行试产、2022年量产,至于3纳米技术细节并未披露。

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